다음 증폭기 회로의 전압이득 에 비례하는 것으로 옳은 것만을 모두 고르면? (단, 는 이상적인 정전류원이고 , BJT 은 활성영역에서 동작한다)
2026년 국가직 9급 전자공학개론 9번
2026년도 시행 • 9번 문항
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정답: 2번
■ 1단계: 회로 구조 파악
• 입력이 베이스($B$), 출력이 컬렉터($C$), 이미터($E$)가 교류 접지되어 있으므로 공통 이미터(CE, Common Emitter) 증폭기입니다.
■ 2단계: 전압 이득 및 트랜스컨덕턴스($g_m$) 유도
• 공통 이미터 증폭기의 전압 이득 크기:
$|A_v| = \left|\frac{V_{out}}{V_{in}}\right| = g_m \cdot R_C = g_m \cdot R$
• BJT의 트랜스컨덕턴스:
$g_m = \frac{I_C}{V_T} \simeq \frac{I_B}{V_T}$
(단, $V_T$는 열전압, 정전류원 $I_B \simeq I_C$)
■ 3단계: 최종 전압 이득식 대입 및 비례 관계 분석
• $|A_v| = \frac{I_B}{V_T} \times R = \frac{I_B \cdot R}{V_T}$
• 따라서 전압 이득 $|A_v|$는 저항 $R$과 바이어스 전류 $I_B$에 비례합니다.
- ㄱ: 저항 $R$ (비례 - 참)
- ㄷ: 바이어스 전류 $I_B$ (비례 - 참)
■ 최종 결과:
• 옳은 것은 ㄱ, ㄷ (②번)
• 입력이 베이스($B$), 출력이 컬렉터($C$), 이미터($E$)가 교류 접지되어 있으므로 공통 이미터(CE, Common Emitter) 증폭기입니다.
■ 2단계: 전압 이득 및 트랜스컨덕턴스($g_m$) 유도
• 공통 이미터 증폭기의 전압 이득 크기:
$|A_v| = \left|\frac{V_{out}}{V_{in}}\right| = g_m \cdot R_C = g_m \cdot R$
• BJT의 트랜스컨덕턴스:
$g_m = \frac{I_C}{V_T} \simeq \frac{I_B}{V_T}$
(단, $V_T$는 열전압, 정전류원 $I_B \simeq I_C$)
■ 3단계: 최종 전압 이득식 대입 및 비례 관계 분석
• $|A_v| = \frac{I_B}{V_T} \times R = \frac{I_B \cdot R}{V_T}$
• 따라서 전압 이득 $|A_v|$는 저항 $R$과 바이어스 전류 $I_B$에 비례합니다.
- ㄱ: 저항 $R$ (비례 - 참)
- ㄷ: 바이어스 전류 $I_B$ (비례 - 참)
■ 최종 결과:
• 옳은 것은 ㄱ, ㄷ (②번)