반도체 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
2026년 국가직 9급 전자공학개론 8번
2026년도 시행 • 8번 문항
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정답: 4번
■ 정답 해설 (옳지 않은 것: ④번)
• ④번 (오답 분석):
제너 다이오드(Zener Diode)는 순방향이 아닌 역방향 바이어스(Reverse Bias) 영역의 항복 현상(Breakdown)을 이용합니다. 역방향 전압이 제너 전압($V_Z$)에 도달하면 전류가 크게 변해도 양단 전압이 일정하게 유지되므로 정전압(전원 안정화) 회로에 사용됩니다.
■ 선택지 추가 해설 (옳은 보기)
• ①번: 순방향 바이어스가 인가되면 내부 전위 장벽이 낮아져, 다수 캐리어(P형의 정공, N형의 전자)가 접합면을 건너가는 확산(Diffusion) 현상에 의해 전류가 형성됩니다.
• ②번: 동작 온도가 상승하면 열적으로 생성되는 소수 캐리어(Minority Carrier)의 농도가 증가하므로, 역방향 포화 전류(누설 전류)의 절댓값이 증가합니다.
• ③번: $\text{GaAs}$(갈륨비소)는 $\text{Si}$(실리콘)보다 전자 이동도($\mu_n$)가 약 5~6배 높아 전자의 주행 속도가 빠르기 때문에 고주파 및 초고속 스위칭 소자에 널리 사용됩니다.
• ④번 (오답 분석):
제너 다이오드(Zener Diode)는 순방향이 아닌 역방향 바이어스(Reverse Bias) 영역의 항복 현상(Breakdown)을 이용합니다. 역방향 전압이 제너 전압($V_Z$)에 도달하면 전류가 크게 변해도 양단 전압이 일정하게 유지되므로 정전압(전원 안정화) 회로에 사용됩니다.
■ 선택지 추가 해설 (옳은 보기)
• ①번: 순방향 바이어스가 인가되면 내부 전위 장벽이 낮아져, 다수 캐리어(P형의 정공, N형의 전자)가 접합면을 건너가는 확산(Diffusion) 현상에 의해 전류가 형성됩니다.
• ②번: 동작 온도가 상승하면 열적으로 생성되는 소수 캐리어(Minority Carrier)의 농도가 증가하므로, 역방향 포화 전류(누설 전류)의 절댓값이 증가합니다.
• ③번: $\text{GaAs}$(갈륨비소)는 $\text{Si}$(실리콘)보다 전자 이동도($\mu_n$)가 약 5~6배 높아 전자의 주행 속도가 빠르기 때문에 고주파 및 초고속 스위칭 소자에 널리 사용됩니다.