2018년 국가직 9급 전자공학개론 2번

■ 1단계: BJT와 MOSFET의 주요 특성 비교
• 다수 캐리어 소자(단극성):
- MOSFET은 전자 또는 정공 중 한 종류의 다수 캐리어에 의해서만 전류가 흐르는 단극성(Unipolar) 소자입니다. (①번 옳은 설명)
• 입력 임피던스:
- MOSFET은 절연된 산화막(Oxide) 게이트 구조를 가지므로 입력 임피던스가 매우 높고 직류 게이트 누설 전류가 거의 흐르지 않습니다. (②번 옳은 설명)
• 집적도:
- MOSFET은 BJT에 비해 구조가 단순하고 단위 소자 면적이 작아 고밀도 집적회로(VLSI) 제작에 유리합니다. (④번 옳은 설명)

■ 2단계: 동작 속도 및 고주파 특성 비교 (보기 ③ 판별)
• BJT는 높은 상호컨덕턴스($g_m$)와 우수한 전류 구동 능력을 지니며 기생 커패시턴스의 영향이 상대적으로 작아, 고주파 증폭 및 초고속 아날로그 회로 설계에서 MOSFET보다 우수한 속도 특성을 나타냅니다.
• 반면 MOSFET은 게이트 산화막에 의한 기생 커패시턴스의 충·방전 시간으로 인해 BJT 대비 스위칭 및 주파수 응답 한계가 존재합니다.
• 따라서 "BJT에 비해 MOSFET은 속도가 빠르므로 고속 회로 설계에 더 적합하다"는 설명은 옳지 않습니다. (③번 옳지 않음)

■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ③번