트랜지스터에 대한 설명으로 옳은 것은?
2013년 국가직 9급 전자공학개론 11번
2013년도 시행 • 11번 문항
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정답: 4번
■ 1단계: 트랜지스터의 단자 구성 검토 (보기 ①)
• MOSFET의 3개 단자는 게이트(Gate), 드레인(Drain), 소스(Source)입니다.
• 이미터, 베이스, 컬렉터는 BJT의 단자 구성입니다. (①번 옳지 않음)
■ 2단계: MOSFET의 기판 및 집적도 검토 (보기 ②, ③)
• $n$채널 MOSFET(NMOS)은 전자가 다수 캐리어인 채널을 형성하기 위해 $p$형 기판(Substrate) 위에 제작됩니다. (②번 옳지 않음)
• MOSFET은 BJT에 비해 구조가 단순하고 점유 면적이 작아 고집적화에 유리하므로, 초고집적회로(VLSI)에는 MOSFET(CMOS)이 주로 사용됩니다. (③번 옳지 않음)
■ 3단계: BJT의 접합 구조 검토 (보기 ④)
• BJT(npn 또는 pnp)는 이미터-베이스 접합(EBJ)과 베이스-컬렉터 접합(CBJ)이라는 두 개의 PN 접합으로 구성됩니다. (④번 옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳은 설명은 ④번
• MOSFET의 3개 단자는 게이트(Gate), 드레인(Drain), 소스(Source)입니다.
• 이미터, 베이스, 컬렉터는 BJT의 단자 구성입니다. (①번 옳지 않음)
■ 2단계: MOSFET의 기판 및 집적도 검토 (보기 ②, ③)
• $n$채널 MOSFET(NMOS)은 전자가 다수 캐리어인 채널을 형성하기 위해 $p$형 기판(Substrate) 위에 제작됩니다. (②번 옳지 않음)
• MOSFET은 BJT에 비해 구조가 단순하고 점유 면적이 작아 고집적화에 유리하므로, 초고집적회로(VLSI)에는 MOSFET(CMOS)이 주로 사용됩니다. (③번 옳지 않음)
■ 3단계: BJT의 접합 구조 검토 (보기 ④)
• BJT(npn 또는 pnp)는 이미터-베이스 접합(EBJ)과 베이스-컬렉터 접합(CBJ)이라는 두 개의 PN 접합으로 구성됩니다. (④번 옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳은 설명은 ④번