공통이미터 회로에 사용되는 실리콘(Si) 확산형 npn BJT의 동작에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
2008년 국가직 9급 전자공학개론 14번
2008년도 시행 • 14번 문항
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정답: 2번
■ 1단계: BJT 활성 영역의 바이어스 조건 검토 (보기 ② 판별)
• BJT가 활성 영역(Active Region)에서 정상 증폭기로 동작하기 위한 조건:
- 베이스-이미터(B-E) 접합: 순방향 바이어스
- 베이스-컬렉터(B-C) 접합: 역방향 바이어스
• 따라서 B-E 접합을 역방향, B-C 접합을 순방향으로 설명한 ②번은 옳지 않습니다. (②번 옳지 않음)
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: 차단 영역은 두 접합이 모두 역방향 바이어스되어 전류가 차단되는 영역입니다. (옳은 설명)
• ③번: 포화 영역은 두 접합이 모두 순방향 바이어스되어 스위치의 ON 상태로 사용되는 영역입니다. (옳은 설명)
• ④번: 베이스-이미터 접합은 PN 접합 다이오드 구조이므로 전압-전류 특성이 다이오드와 유사합니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ②번
• BJT가 활성 영역(Active Region)에서 정상 증폭기로 동작하기 위한 조건:
- 베이스-이미터(B-E) 접합: 순방향 바이어스
- 베이스-컬렉터(B-C) 접합: 역방향 바이어스
• 따라서 B-E 접합을 역방향, B-C 접합을 순방향으로 설명한 ②번은 옳지 않습니다. (②번 옳지 않음)
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: 차단 영역은 두 접합이 모두 역방향 바이어스되어 전류가 차단되는 영역입니다. (옳은 설명)
• ③번: 포화 영역은 두 접합이 모두 순방향 바이어스되어 스위치의 ON 상태로 사용되는 영역입니다. (옳은 설명)
• ④번: 베이스-이미터 접합은 PN 접합 다이오드 구조이므로 전압-전류 특성이 다이오드와 유사합니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ②번