MOSFET가 JFET에 비해 가지고 있는 특징으로 옳지 않은 것은?
2017년 지방직 9급 전자공학개론 10번
2017년도 시행 • 10번 문항
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정답: 2번
■ 1단계: 캐리어 이동도 특성 비교 (보기 ② 판별)
• MOSFET은 절연 산화막과 실리콘 계면을 따라 채널이 형성되므로 표면 산란에 의해 캐리어 이동도가 저하됩니다.
• JFET는 벌크 내부를 통해 캐리어가 이동하므로 MOSFET에 비해 캐리어 이동도가 상대적으로 높습니다.
• 따라서 MOSFET이 JFET보다 캐리어 이동도가 높다는 설명은 옳지 않습니다.
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: 산화막 절연 게이트로 인해 MOSFET의 입력 저항이 극도로 큽니다.
• ③번: 절연층 및 접합 분리에 의해 채널과 기판이 전기적으로 독립되어 있습니다.
• ④번: 소자 구조가 단순하고 집적 밀도가 높아 IC 제작에 유리합니다.
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ②번
• MOSFET은 절연 산화막과 실리콘 계면을 따라 채널이 형성되므로 표면 산란에 의해 캐리어 이동도가 저하됩니다.
• JFET는 벌크 내부를 통해 캐리어가 이동하므로 MOSFET에 비해 캐리어 이동도가 상대적으로 높습니다.
• 따라서 MOSFET이 JFET보다 캐리어 이동도가 높다는 설명은 옳지 않습니다.
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: 산화막 절연 게이트로 인해 MOSFET의 입력 저항이 극도로 큽니다.
• ③번: 절연층 및 접합 분리에 의해 채널과 기판이 전기적으로 독립되어 있습니다.
• ④번: 소자 구조가 단순하고 집적 밀도가 높아 IC 제작에 유리합니다.
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ②번