2016년 지방직 9급 전자공학개론 8번

2016년도 시행 • 8번 문항

다음과 같은 회로에서 에미터 전류 IEI_E는? (단, 전류이득 β=100\beta = 100이고 실리콘 트랜지스터이며, VBE=0.7 [V]V_{BE} = 0.7\text{ [V]}이다.)

2016년 지방직 9급 전자공학개론 8번 BJT 고정 바이어스 회로도
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정답: 3번
■ 1단계: 베이스 전류($I_B$) 계산
• 베이스 루프 KVL 적용 ($V_B = 4.7\text{ V}, V_{BE} = 0.7\text{ V}, R_B = 100\text{ k}\Omega$):
$$I_B = \frac{V_B - V_{BE}}{R_B} = \frac{4.7\text{ V} - 0.7\text{ V}}{100\text{ k}\Omega} = \frac{4.0\text{ V}}{100\text{ k}\Omega} = 0.04\text{ mA}$$

■ 2단계: 에미터 전류($I_E$) 계산
• $\beta = 100$일 때 컬렉터 전류 및 에미터 전류:
$$I_C = \beta I_B = 100 \times 0.04\text{ mA} = 4.0\text{ mA}$$
$$I_E = I_B + I_C = 0.04\text{ mA} + 4.0\text{ mA} = 4.04\text{ mA}$$

■ 최종 결과:
• 에미터 전류는 4.04 [mA] (③번)