반도체 소자와 관련된 용어의 설명으로 옳지 않은 것은?
2009년 지방직 9급 전자공학개론 17번
2009년도 시행 • 17번 문항
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정답: 4번
■ 1단계: 반도체 물리 용어 검토
• ①번: 페르미-디락 확률 함수에서 $E = E_F$일 때 전자의 점유 확률은 50%(0.5)입니다. (옳은 설명)
• ②번: BJT에서 컬렉터 역바이어스 증가 시 공핍층이 베이스 영역으로 침투하여 유효 베이스 폭이 감소합니다. (옳은 설명)
• ③번: 제너 항복은 고농도 도핑 접합에 역바이어스 인가 시 얇은 공핍층을 통한 양자 터널링에 의해 발생합니다. (옳은 설명)
■ 2단계: 바디 효과 검토 (보기 ④ 판별)
• 바디 효과는 소스와 기판(Body) 사이에 역바이어스 전압($V_{SB} > 0$)이 인가될 때 공핍층이 확장되어 문턱 전압($V_{th}$)이 상승하는 현상입니다.
• 따라서 순방향 전압에 의존한다는 설명은 옳지 않습니다.
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ④번
• ①번: 페르미-디락 확률 함수에서 $E = E_F$일 때 전자의 점유 확률은 50%(0.5)입니다. (옳은 설명)
• ②번: BJT에서 컬렉터 역바이어스 증가 시 공핍층이 베이스 영역으로 침투하여 유효 베이스 폭이 감소합니다. (옳은 설명)
• ③번: 제너 항복은 고농도 도핑 접합에 역바이어스 인가 시 얇은 공핍층을 통한 양자 터널링에 의해 발생합니다. (옳은 설명)
■ 2단계: 바디 효과 검토 (보기 ④ 판별)
• 바디 효과는 소스와 기판(Body) 사이에 역바이어스 전압($V_{SB} > 0$)이 인가될 때 공핍층이 확장되어 문턱 전압($V_{th}$)이 상승하는 현상입니다.
• 따라서 순방향 전압에 의존한다는 설명은 옳지 않습니다.
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ④번