N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다.)
2012년 국가직 9급 전자공학개론 12번
2012년도 시행 • 12번 문항
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정답: 2번
■ 1단계: 드레인 전류의 온도 의존성 검토 (보기 ② 판별)
• 온도가 상승하면 격자 진동에 의한 산란이 증가하여 캐리어의 이동도($\mu$)가 감소하므로 드레인 전류는 감소합니다.
• 따라서 "온도에 영향을 받지 않는다"는 설명은 옳지 않습니다. (②번 옳지 않음)
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: 드레인 전류는 채널 폭/길이 비($W/L$)에 비례하므로 채널 길이 $L$이 작아지면 드레인 전류는 증가합니다. (옳은 설명)
• ③번: 포화 영역에서 $V_{DS}$가 증가하면 핀치오프 지점이 소스 쪽으로 이동하여 유효 채널 길이가 줄어드는 채널 길이 변조 효과가 발생합니다. (옳은 설명)
• ④번: 소스-바디 간 역방향 전압 $V_{SB}$가 인가되면 공핍 영역의 전하량이 증가하여 문턱 전압이 증가하는 바디 효과가 발생합니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ②번
• 온도가 상승하면 격자 진동에 의한 산란이 증가하여 캐리어의 이동도($\mu$)가 감소하므로 드레인 전류는 감소합니다.
• 따라서 "온도에 영향을 받지 않는다"는 설명은 옳지 않습니다. (②번 옳지 않음)
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: 드레인 전류는 채널 폭/길이 비($W/L$)에 비례하므로 채널 길이 $L$이 작아지면 드레인 전류는 증가합니다. (옳은 설명)
• ③번: 포화 영역에서 $V_{DS}$가 증가하면 핀치오프 지점이 소스 쪽으로 이동하여 유효 채널 길이가 줄어드는 채널 길이 변조 효과가 발생합니다. (옳은 설명)
• ④번: 소스-바디 간 역방향 전압 $V_{SB}$가 인가되면 공핍 영역의 전하량이 증가하여 문턱 전압이 증가하는 바디 효과가 발생합니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ②번