면적이 S, 거리가 d인 평행 전극판 사이에 유전율 의 유전체를 채운 커패시터에 전압 V를 인가했을 때, 커패시터에 저장되는 전하량을 증가시키는 방법으로 옳지 않은 것은?
2025년 지방직 9급 전자공학개론 8번
2025년도 시행 • 8번 문항
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정답: 2번
■ 1단계: 평행판 커패시터의 저장 전하량 공식 수립
• 전하량 $Q$와 정전용량 $C$, 인가전압 $V$의 관계:
$$Q = CV = \left(\varepsilon \frac{S}{d}\right)V$$
■ 2단계: 파라미터 변화에 따른 전하량 변동 검토
• 유전율 $\varepsilon$ 증가 시 $Q$ 증가 (①번)
• 면적 $S$ 증가 시 $Q$ 증가 (③번)
• 인가전압 $V$ 증가 시 $Q$ 증가 (④번)
• 극판 간격 $d$가 증가하면 정전용량 $C$가 감소하므로 저장 전하량 $Q$는 감소합니다. (②번 옳지 않음)
■ 최종 결과:
• 전하량을 증가시키는 방법으로 옳지 않은 것은 ②번
• 전하량 $Q$와 정전용량 $C$, 인가전압 $V$의 관계:
$$Q = CV = \left(\varepsilon \frac{S}{d}\right)V$$
■ 2단계: 파라미터 변화에 따른 전하량 변동 검토
• 유전율 $\varepsilon$ 증가 시 $Q$ 증가 (①번)
• 면적 $S$ 증가 시 $Q$ 증가 (③번)
• 인가전압 $V$ 증가 시 $Q$ 증가 (④번)
• 극판 간격 $d$가 증가하면 정전용량 $C$가 감소하므로 저장 전하량 $Q$는 감소합니다. (②번 옳지 않음)
■ 최종 결과:
• 전하량을 증가시키는 방법으로 옳지 않은 것은 ②번