n채널 공핍형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
2023년 지방직 9급 전자공학개론 2번
2023년도 시행 • 2번 문항
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정답: 3번
■ 1단계: 공핍형 MOSFET 동작 영역 검토 (보기 ③ 판별)
• n채널 공핍형 MOSFET에서 $V_{GS} > 0$인 영역은 채널 내 전자가 더 많이 모여 전도성이 증가하는 증가 영역(Enhancement mode)입니다.
• $V_{GS} < 0$인 영역은 전자가 반발되어 채널이 좁아지는 공핍 영역(Depletion mode)입니다.
• 따라서 $V_{GS} > 0$인 영역을 공핍영역이라고 한 ③번은 옳지 않습니다. (③번 옳지 않음)
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: $V_{GS}$가 양으로 증가하면 채널 전하 밀도가 높아져 $I_D$가 증가합니다. (옳은 설명)
• ②번: $V_{GS}$가 음으로 낮아지면 채널이 공핍되어 전류가 감소하고 차단 전압 이하에서 전류가 흐르지 않습니다. (옳은 설명)
• ④번: 공핍형 MOSFET은 증가 모드와 공핍 모드 모두 동일한 쇼클리 전류 방정식 $I_D = I_{DSS}(1 - V_{GS}/V_P)^2$을 공유합니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ③번
• n채널 공핍형 MOSFET에서 $V_{GS} > 0$인 영역은 채널 내 전자가 더 많이 모여 전도성이 증가하는 증가 영역(Enhancement mode)입니다.
• $V_{GS} < 0$인 영역은 전자가 반발되어 채널이 좁아지는 공핍 영역(Depletion mode)입니다.
• 따라서 $V_{GS} > 0$인 영역을 공핍영역이라고 한 ③번은 옳지 않습니다. (③번 옳지 않음)
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: $V_{GS}$가 양으로 증가하면 채널 전하 밀도가 높아져 $I_D$가 증가합니다. (옳은 설명)
• ②번: $V_{GS}$가 음으로 낮아지면 채널이 공핍되어 전류가 감소하고 차단 전압 이하에서 전류가 흐르지 않습니다. (옳은 설명)
• ④번: 공핍형 MOSFET은 증가 모드와 공핍 모드 모두 동일한 쇼클리 전류 방정식 $I_D = I_{DSS}(1 - V_{GS}/V_P)^2$을 공유합니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ③번