다음 중 PN 접합 다이오드의 특성으로 옳지 않은 것은?
2015년 지방직 9급 전자공학개론 18번
2015년도 시행 • 18번 문항
💡 정답 및 상세 해설 확인하기
정답: 2번
■ 1단계: 순방향 및 역방향 바이어스 특성 검토 (보기 ② 판별)
• 순방향 바이어스를 인가하면 내부 전위 장벽을 낮추어 공핍층이 좁아지고 다수 캐리어의 확산 전류가 흐릅니다.
• 따라서 순방향 바이어스 시 전위장벽이 높아진다는 설명은 옳지 않습니다. (②번 옳지 않음)
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: P형 반도체의 다수 캐리어는 정공(Hole)입니다. (옳은 설명)
• ③번: 역방향 바이어스 인가 시 공핍층이 넓어지고 전위장벽이 높아집니다. (옳은 설명)
• ④번: N형 반도체는 4족 Si에 5족 원소(P, As 등)를 도핑하여 만듭니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ②번
• 순방향 바이어스를 인가하면 내부 전위 장벽을 낮추어 공핍층이 좁아지고 다수 캐리어의 확산 전류가 흐릅니다.
• 따라서 순방향 바이어스 시 전위장벽이 높아진다는 설명은 옳지 않습니다. (②번 옳지 않음)
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: P형 반도체의 다수 캐리어는 정공(Hole)입니다. (옳은 설명)
• ③번: 역방향 바이어스 인가 시 공핍층이 넓어지고 전위장벽이 높아집니다. (옳은 설명)
• ④번: N형 반도체는 4족 Si에 5족 원소(P, As 등)를 도핑하여 만듭니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ②번