여러 종류의 전자 소자에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
2010년 지방직 9급 전자공학개론 20번
2010년도 시행 • 20번 문항
💡 정답 및 상세 해설 확인하기
정답: 3번
■ 1단계: 제너 다이오드 항복 특성 분석 (보기 ③ 판별)
• 제너 항복(Zener Breakdown)은 고농도로 도핑되어 공핍층이 매우 얇을 때 강한 전계에 의한 터널링 현상으로 발생합니다.
• 불순물 도핑 농도를 매우 낮게 하면 공핍층 폭이 넓어져 터널링이 어려워지므로 항복 전압(절대값)은 증가(높아짐)하게 됩니다.
• 따라서 도핑 농도를 낮출 때 항복 전압이 감소한다는 설명은 옳지 않습니다.
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: 발광 다이오드는 불순물 및 밴드갭 크기에 따라 방출 빛의 파장(색깔)이 달라집니다. (옳은 설명)
• ②번: MOSFET 드레인 전류 $I_D$는 채널 길이 $L$에 반비례하므로 $L$이 짧아지면 전류량은 증가합니다. (옳은 설명)
• ④번: 베이스-에미터 접합에 순방향 바이어스를 인가하면 전위 장벽이 낮아져 공핍층이 좁아집니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ③번
• 제너 항복(Zener Breakdown)은 고농도로 도핑되어 공핍층이 매우 얇을 때 강한 전계에 의한 터널링 현상으로 발생합니다.
• 불순물 도핑 농도를 매우 낮게 하면 공핍층 폭이 넓어져 터널링이 어려워지므로 항복 전압(절대값)은 증가(높아짐)하게 됩니다.
• 따라서 도핑 농도를 낮출 때 항복 전압이 감소한다는 설명은 옳지 않습니다.
■ 2단계: 기타 보기 검토
• ①번: 발광 다이오드는 불순물 및 밴드갭 크기에 따라 방출 빛의 파장(색깔)이 달라집니다. (옳은 설명)
• ②번: MOSFET 드레인 전류 $I_D$는 채널 길이 $L$에 반비례하므로 $L$이 짧아지면 전류량은 증가합니다. (옳은 설명)
• ④번: 베이스-에미터 접합에 순방향 바이어스를 인가하면 전위 장벽이 낮아져 공핍층이 좁아집니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ③번