MOSFET과 BJT의 특징으로 옳은 것만을 모두 고르면?
2026년 국가직 9급 전자공학개론 12번
2026년도 시행 • 12번 문항
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정답: 3번
■ 보기별 정오 판별
• ㄱ (오답 분석):
MOSFET은 게이트 절연막($\text{SiO}_2$)에 의해 입력 저항이 매우 커서 **정적 상태(DC) 전력 소모가 BJT보다 훨씬 적습니다.** (BJT가 MOSFET보다 전력 소모가 적다는 설명은 틀림)
• ㄴ (옳은 설명):
MOSFET(금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터)은 게이트 전압에 의해 형성되는 전계(Electric Field)를 이용하여 채널의 전도도를 조절하고 드레인 전류를 제어합니다.
• ㄷ (옳은 설명):
MOSFET의 구조상 게이트 금속(Metal/Polysilicon)과 반도체 채널 사이에는 얇은 산화물 절연층($\text{SiO}_2$)이 존재하므로, 게이트 단자로 직류 전류가 직접 흐르지 않습니다 ($I_G \simeq 0$).
• ㄹ (오답 분석):
- BJT(쌍극성): 전자(Electron)와 정공(Hole) 두 종류의 캐리어가 모두 전류 전도에 참여합니다.
- MOSFET(단극성, Unipolar): N채널은 전자, P채널은 정공 중 오직 하나의 다수 캐리어에 의해서만 전류가 흐릅니다. (설명이 뒤바뀌어 틀림)
■ 최종 결과:
• 옳은 것은 ㄴ, ㄷ (③번)
• ㄱ (오답 분석):
MOSFET은 게이트 절연막($\text{SiO}_2$)에 의해 입력 저항이 매우 커서 **정적 상태(DC) 전력 소모가 BJT보다 훨씬 적습니다.** (BJT가 MOSFET보다 전력 소모가 적다는 설명은 틀림)
• ㄴ (옳은 설명):
MOSFET(금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터)은 게이트 전압에 의해 형성되는 전계(Electric Field)를 이용하여 채널의 전도도를 조절하고 드레인 전류를 제어합니다.
• ㄷ (옳은 설명):
MOSFET의 구조상 게이트 금속(Metal/Polysilicon)과 반도체 채널 사이에는 얇은 산화물 절연층($\text{SiO}_2$)이 존재하므로, 게이트 단자로 직류 전류가 직접 흐르지 않습니다 ($I_G \simeq 0$).
• ㄹ (오답 분석):
- BJT(쌍극성): 전자(Electron)와 정공(Hole) 두 종류의 캐리어가 모두 전류 전도에 참여합니다.
- MOSFET(단극성, Unipolar): N채널은 전자, P채널은 정공 중 오직 하나의 다수 캐리어에 의해서만 전류가 흐릅니다. (설명이 뒤바뀌어 틀림)
■ 최종 결과:
• 옳은 것은 ㄴ, ㄷ (③번)