2024년 국가직 9급 전자공학개론 4번

■ 1단계: JFET의 물리적 구조 및 기본 동작 원리
• JFET(Junction Field Effect Transistor)은 반도체 채널 양 끝에 전극을 연결하여 캐리어를 주입하고 수집하는 구조를 가집니다.
• 캐리어가 유입되는 단자를 소스(Source), 빠져나가는 단자를 드레인(Drain)이라 부르므로 채널의 양 끝은 드레인과 소스에 해당합니다. (②번 옳은 설명)

■ 2단계: 보기별 정오 판별

• ①번 (오답 분석):
JFET은 게이트-소스 사이 전압 $V_{GS}$로 채널의 공핍층 두께를 제어하여 드레인 전류 $I_D$를 조절하는 전압 제어 소자입니다.
($I_D = I_{DSS}(1 - V_{GS}/V_P)^2$ 관계식에 따라 $V_{GS}$의 영향을 강하게 받으므로 틀림)

• ②번 (옳은 설명):
JFET 채널의 양 끝단은 드레인과 소스로 연결되어 캐리어의 이동 통로 역할을 합니다.

• ③번 (오답 분석):
핀치-오프(Pinch-off) 전압($V_P$)에 도달하면 공핍층이 만나 채널이 좁아지지만, 전류가 0이 되는 것이 아니라 드레인 전류가 포화 상태에 도달하여 일정한 값($I_{DSS}$)으로 흐릅니다. (0이 된다는 설명은 틀림)

• ④번 (오답 분석):
n채널 JFET은 채널이 n형 반도체이고, 게이트(Gate) 단자는 채널 양옆의 p형 영역에 형성된 PN 접합으로 연결됩니다.
(게이트가 n형 영역에 연결된다는 설명은 틀림)

■ 최종 결과:
• 옳은 것은 ②번