다음 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
2017년 국가직 9급 전자공학개론 14번
2017년도 시행 • 14번 문항
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정답: 1번
■ 1단계: MOSFET 소자 구조 판별
• p형 기판(p-substrate) 내부의 n-well에 고농도 $p^+$ 소스와 드레인이 형성된 구조는 P채널 MOSFET(PMOS)입니다.
• 게이트 전압이 인가되어 형성되는 반전층 채널을 통해 이동하는 다수 캐리어는 정공(Hole)입니다.
■ 2단계: 보기별 정오 판별
• ①번: PMOS에서 전류를 형성하는 주요 반송자는 전자가 아니라 정공입니다. (①번 옳지 않음)
• ②번: MOSFET의 선형 및 포화 영역 전류는 드레인-소스 간 전기장에 의한 캐리어의 드리프트(Drift) 현상으로 흐릅니다. (옳은 설명)
• ③번: n-well 내 $p^+$ 접합으로 이루어진 P채널 증가형 MOSFET 구조입니다. (옳은 설명)
• ④번: n-well 공정을 적용한 PMOS는 p-substrate 상의 NMOS와 함께 CMOS 회로를 구성하는 핵심 소자입니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ①번
• p형 기판(p-substrate) 내부의 n-well에 고농도 $p^+$ 소스와 드레인이 형성된 구조는 P채널 MOSFET(PMOS)입니다.
• 게이트 전압이 인가되어 형성되는 반전층 채널을 통해 이동하는 다수 캐리어는 정공(Hole)입니다.
■ 2단계: 보기별 정오 판별
• ①번: PMOS에서 전류를 형성하는 주요 반송자는 전자가 아니라 정공입니다. (①번 옳지 않음)
• ②번: MOSFET의 선형 및 포화 영역 전류는 드레인-소스 간 전기장에 의한 캐리어의 드리프트(Drift) 현상으로 흐릅니다. (옳은 설명)
• ③번: n-well 내 $p^+$ 접합으로 이루어진 P채널 증가형 MOSFET 구조입니다. (옳은 설명)
• ④번: n-well 공정을 적용한 PMOS는 p-substrate 상의 NMOS와 함께 CMOS 회로를 구성하는 핵심 소자입니다. (옳은 설명)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ①번