MOS 트랜지스터에서 Gate와 Source 간의 전압차 (), 온도 등 모든 조건을 일정하게 유지하고 트랜지스터의 채널 length 만 2배 크게 하였을 때, 트랜지스터에 흐르는 전류 절대량 의 변화로서 옳은 것은? (단, channel length modulation 효과는 무시하며, MOS 트랜지스터는 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
2011년 국가직 9급 전자공학개론 14번
2011년도 시행 • 14번 문항
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정답: 2번
■ 1단계: MOS 드레인 전류 공식
• 트랜지스터의 드레인 전류 크기는 포화 영역과 트라이오드 영역 모두에서 채널 폭/길이 비($W/L$)에 비례합니다:
$$|I_{DS}| \propto \frac{W}{L}$$
■ 2단계: 채널 길이 2배 증가 시 전류 변화
• 채널 길이 $L$을 2배로 증가시키면 $|I_{DS}|$는 $1/2$배로 감소합니다.
• 이는 캐리어 종류(전자 또는 정공)와 무관하게 NMOS와 PMOS 모두에 동일하게 적용됩니다.
■ 최종 결과:
• P형 MOS와 N형 MOS 모두 감소합니다. (②번)
• 트랜지스터의 드레인 전류 크기는 포화 영역과 트라이오드 영역 모두에서 채널 폭/길이 비($W/L$)에 비례합니다:
$$|I_{DS}| \propto \frac{W}{L}$$
■ 2단계: 채널 길이 2배 증가 시 전류 변화
• 채널 길이 $L$을 2배로 증가시키면 $|I_{DS}|$는 $1/2$배로 감소합니다.
• 이는 캐리어 종류(전자 또는 정공)와 무관하게 NMOS와 PMOS 모두에 동일하게 적용됩니다.
■ 최종 결과:
• P형 MOS와 N형 MOS 모두 감소합니다. (②번)