진성 실리콘에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
2011년 국가직 9급 전자공학개론 8번
2011년도 시행 • 8번 문항
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정답: 4번
■ 1단계: 진성 실리콘의 특성 검토
• 4족 원소인 실리콘은 최외각 가전자가 4개입니다. (②번 옳은 설명)
• 열에너지를 받으면 공유 결합을 이탈하여 전도대로 올라간 전자는 자유 전자가 되고 가전자대에는 정공이 생성됩니다. (①번 옳은 설명)
• 열에 의해 생성되는 전자-정공 쌍(EHP)에 의해 전자 농도와 정공 농도는 항상 같습니다. (③번 옳은 설명)
■ 2단계: 불순물 도핑과 전기 전도성 검토 (보기 ④ 판별)
• 5족 원소인 안티몬(Sb)을 도핑하면 다수 캐리어인 자유 전자의 농도가 크게 증가합니다.
• 캐리어 농도가 증가하면 반도체의 전기 전도도($\sigma$)는 크게 증가합니다. 따라서 전기 전도성이 감소한다는 설명은 옳지 않습니다. (④번 옳지 않음)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ④번
• 4족 원소인 실리콘은 최외각 가전자가 4개입니다. (②번 옳은 설명)
• 열에너지를 받으면 공유 결합을 이탈하여 전도대로 올라간 전자는 자유 전자가 되고 가전자대에는 정공이 생성됩니다. (①번 옳은 설명)
• 열에 의해 생성되는 전자-정공 쌍(EHP)에 의해 전자 농도와 정공 농도는 항상 같습니다. (③번 옳은 설명)
■ 2단계: 불순물 도핑과 전기 전도성 검토 (보기 ④ 판별)
• 5족 원소인 안티몬(Sb)을 도핑하면 다수 캐리어인 자유 전자의 농도가 크게 증가합니다.
• 캐리어 농도가 증가하면 반도체의 전기 전도도($\sigma$)는 크게 증가합니다. 따라서 전기 전도성이 감소한다는 설명은 옳지 않습니다. (④번 옳지 않음)
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ④번