다음 그림에 나타난 반도체 소자(MOSFET)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
2014년 지방직 9급 전자공학개론 7번
2014년도 시행 • 7번 문항
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정답: 3번
■ 1단계: n-채널 MOSFET 구조 및 특성 검토
• p형 실리콘 기판에 n+ 영역의 소스와 드레인을 형성하고 게이트 산화막을 배치한 구조는 n-채널 증가형 MOSFET입니다.
• 산화막 절연층으로 인해 게이트 입력 임피던스가 수백 M$\Omega$ 이상으로 매우 큽니다.
■ 2단계: 신호 증폭 및 취약성 검토 (보기 ③번 판별)
• 입력 임피던스가 매우 높기 때문에 신호원의 부하 효과를 최소화할 수 있어 미약한 전압 신호의 증폭에 적합합니다.
• 따라서 미약 신호 증폭에 적합하지 않다는 설명은 옳지 않습니다.
• 산화막이 얇아 정전기에 의해 파괴될 위험이 크며, 대칭적이고 단순한 구조 덕분에 집적화에 유리합니다.
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ③번
• p형 실리콘 기판에 n+ 영역의 소스와 드레인을 형성하고 게이트 산화막을 배치한 구조는 n-채널 증가형 MOSFET입니다.
• 산화막 절연층으로 인해 게이트 입력 임피던스가 수백 M$\Omega$ 이상으로 매우 큽니다.
■ 2단계: 신호 증폭 및 취약성 검토 (보기 ③번 판별)
• 입력 임피던스가 매우 높기 때문에 신호원의 부하 효과를 최소화할 수 있어 미약한 전압 신호의 증폭에 적합합니다.
• 따라서 미약 신호 증폭에 적합하지 않다는 설명은 옳지 않습니다.
• 산화막이 얇아 정전기에 의해 파괴될 위험이 크며, 대칭적이고 단순한 구조 덕분에 집적화에 유리합니다.
■ 최종 결과:
• 옳지 않은 설명은 ③번